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电子元器件详细资料 » IC[19969] » HAT2172N-EL-E
型号:HAT2172N-EL-E类别:FET - 单制造商:Renesas Electronics America
封装:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)描述:MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I
系列-
制造商Renesas Electronics America
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C30A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C7.8 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 10mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs32nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2420pF @ 10V
功率_最大20W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
供应商设备封装8-LFPAK-iV
包装带卷 (TR)

供应商

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锦迅科技(香港)有限公司马小姐086-0755-83226745/82584980
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HAT2172N-EL-E相关型号

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